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Image mise en avant de l'alimentation en silicium polycristallin 0~50 V 0~5000 A
  • Alimentation en silicium polycristallin 0~50 V 0~5000 A
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Alimentation en silicium polycristallin 0~50 V 0~5000 A

Description du produit :

Caractéristiques:

Paramètres d'entrée : triphasé, 480 V CA ±10 %, 60 Hz

Paramètres de sortie : CC 0~50 V 0~5000 A

Mode de sortie : Sortie CC commune

Méthode de refroidissement : refroidissement par air/refroidissement par eau

Type d'alimentation : à base d'IGBT

Secteur d'application : Four de réduction du silicium polycristallin sous pression et réduction, croissance cristalline

Dimensions du produit : 87 x 82,5 x 196 cm

Poids net : 460 kg

Modèle et données

Numéro de modèle

ondulation de sortie

Précision d'affichage actuelle

précision d'affichage Volt

Précision CC/CV

Accélération et décélération

Dépasser
GKD50-5000CVC VPP≤0,5% ≤10 mA ≤10 mV ≤10 mA/10 mV 0~99S No

Applications du produit

Le polysilicium est une forme de silicium élémentaire. Lorsque le silicium élémentaire fondu se solidifie en état de surfusion, les atomes de silicium s'organisent en de nombreux germes cristallins selon un réseau diamant. Si ces germes cristallins croissent pour former des grains présentant différentes orientations de plans cristallins, ces grains s'agglomèrent pour cristalliser et former du silicium polycristallin.

 

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