Alimentation en silicium polycristallin 0 ~ 50 V 0 ~ 5000 A

Description du produit :

Caractéristiques:

Paramètres d'entrée : 3 phases, AC480V ± 10 %, 60 HZ

Paramètres de sortie : DC 0 ~ 50 V 0 ~ 5000 A.

Mode de sortie : sortie CC commune

Méthode de refroidissement: refroidissement par air/refroidissement par eau

Type d'alimentation : basé sur IGBT

Industrie d'application : pression et réduction du four de réduction du silicium polycristallin, croissance cristalline

Taille du produit: 87*82.5*196 cm

Poids net : 460 kg

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Spécification
Type de robinet	Robinets de lavabo de salle de bain,
Type d'installation	Ensemble central,
Trous d'installation	un trou,
Nombre de poignées	Poignée unique,
Finition	Ti-PVD,
Style	Pays,
Débit	1,5 GPM (5,7 L/min) maximum,
Type de vanne	Valve en céramique,
Interrupteur froid et chaud	Oui,
Dimensions
Hauteur hors tout	240 millimètres ( 9,5 " ),
Hauteur du bec	155 mm (6,1 " ),
Longueur du bec	160 millimètres ( 6,3 " ),
Centre du robinet	un seul trou,
Matériel
Matériau du corps du robinet	Laiton,
Matériau du bec du robinet	Laiton,
Matériau de la poignée du robinet	Laiton,
Informations sur les accessoires
Vanne incluse	Oui,
Drain inclus	Non,
Poids
Poids net (kg)	0,99,
Poids d'expédition (kg)	1.17,

fonctionnalité

Paramètres d'entrée

Entrée CA 480 V ± 10 % triphasé
Paramètres de sortie

DC 0 ~ 50 V 0 ~ 5000 A réglable en continu
Puissance de sortie

250KW
Méthode de refroidissement

refroidissement par air forcé / refroidissement par eau
API analogique

0-10 V/4-20 mA/0-5 V
Interface

RS485/RS232
Mode de contrôle

conception de télécommande
Affichage à l'écran

affichage numérique
Protections multiples

manque de phase surchauffe surtension surintensité court-circuit
Manière de contrôle

Automate/microcontrôleur

Modèle et données

Numéro de modèle	Ondulation de sortie	Précision d'affichage actuelle	Précision de l'affichage des volts	Précision CC/CV	Montée en puissance et décélération	Dépasser
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5 %	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0 ~ 99S	No

Applications du produit

Le polysilicium est une forme de silicium élémentaire. Lorsque le silicium élémentaire fondu se solidifie dans des conditions de surfusion, les atomes de silicium sont disposés en de nombreux noyaux cristallins sous la forme d'un réseau de diamant. Si ces noyaux cristallins se transforment en grains ayant des orientations de plan cristallin différentes, alors ces grains se combinent pour cristalliser en silicium polycristallin.